近日，飞锃半导体自主研发的1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ车规级SiC MOSFET器件通过国内第三方可靠性认证，成功获得AEC-Q101车规级可靠性认证，并且通过了960V高压H3TRB加严测试。此次认证充分肯定了飞锃半导体SiC MOSFET器件在可靠性、稳定性等方面的优异表现，使得飞锃半导体成为国内少数SiC功率分立器件产品通过双重考核的厂商之一。

这次飞锃半导体通过车规认证的SiC MOSFET器件最大耐压等级为1,200V，而AEC-Q101在H3TRB（高温高湿反偏试验）考核标准中耐压通常为100V。通过HV-H3TRB（高压高温高湿反偏试验）考核，则需要将1,200V耐压器件的耐压提高到960V。这意味着对于器件的设计、制造和封装技术提出了更为苛刻的要求。飞锃半导体车规级SiC MOSFET通过HV-H3TRB可靠性验证，表明功率器件在极端运行环境下仍然具备出色的耐受能力和使用寿命。

在产品结构上，飞锃半导体第二代车规级SiC MOSFET延续了上一代产品的优越性能，通过工艺优化，降低了单位晶圆面积内的导通电阻，开关性能也进一步得到了优化。另外，还采用了开尔文Source封装，避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，器件的开关速度、抗干扰能力均得到了明显提升，为提高开关频率、提升系统效率功率密度提供了更多的可能性。

飞锃半导体针对新能源汽车OBC和车载DCDC推出了系列应用方案，助力新能源汽车提升加速度、降低系统成本、增加续航里程以及实现轻量化等。

目前，飞锃半导体车规级SiC MOSFE已经商业化量产，与新能源汽车重点客户的合作已取得重大突破，将逐步批量供货。飞锃半导体也正在积极与国内下游其他车企联动，共推国产新能源汽车转型及SiC的国产化替代。